氮化镓单晶衬底在射频电子领域的应用
- 分类：应用领域
- 发布时间：2022-09-26 10:35:40
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- 基于GaN材料的射频器件，具有高功率、高效率、耐高温、抗辐照等优势，是迄今最理想的半导体射频电子器件。
- 基于氮化镓单晶衬底的HEMT器件，为同时实现高频率、宽频谱、高效率、高功率密度、高可靠性提供解决方案。
- 半绝缘氮化镓，Fe掺杂，C掺杂
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